按電磁兼容的原理把信息系統(tǒng)所在建筑物或構(gòu)筑物按需要保護(hù)的空間由外到內(nèi)分為不同的雷電防護(hù)區(qū)(LPZ),以確定各 LPZ空間的雷擊電磁脈沖的強(qiáng)度及應(yīng)采取的防護(hù)措施。雷電防護(hù)區(qū)可分為：

  直擊雷非防護(hù)區(qū)（LPZ OA） ：本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導(dǎo)走全部雷電流；本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。本區(qū)內(nèi)的各類物體完全暴露在外部防雷裝置的保護(hù)范圍之外，都可能遭到直接雷擊；本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)未得到任何屏蔽衰減，屬完全暴露的不設(shè)防區(qū)。

  LPZ0A——天空、沒(méi)有避雷針保護(hù)的大樓外部、面沒(méi)有頂棚等覆蓋物的地面... 等等雷電可能會(huì)直接擊中的的空間。如大樓頂部避雷針保護(hù)范圍之外的空間。

  直擊雷防護(hù)區(qū)（LPZ 0B）：本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對(duì)應(yīng)的雷電流直接雷擊，但本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。本區(qū)內(nèi)的各類物體處在外部防雷裝置保護(hù)范圍之內(nèi)，應(yīng)不可能遭到大于所選滾球半徑雷電流直接雷擊；但本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)未得到任何屏蔽衰減，屬充分暴露的直擊雷防護(hù)區(qū)。

  LPZ0B——沒(méi)有避雷針保護(hù)的非屏蔽大樓內(nèi)部、有避雷針保護(hù)的大樓天臺(tái)受保護(hù)部分、避雷線下的電纜等等雷電不易直接擊中的 LEMP 沒(méi)有衰減空間。如大樓頂部避雷針保護(hù)范圍之內(nèi)的空間和沒(méi)有屏蔽的大樓內(nèi)部或有屏蔽大樓內(nèi)部的窗口附近。

  第一屏蔽防護(hù)區(qū)（LPZ1）： 本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊，流經(jīng)各類導(dǎo)體的電流比 LPZ 0B 區(qū)進(jìn)一步減小；且由于建筑物的屏蔽措施，本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度也已得到了初步的衰減。LPZ1——雷電不易直接擊中，但 LEMP 因屏蔽而衰減的空間。如上述屏蔽大樓內(nèi)部（不包含窗口附近）。

  第二屏蔽防護(hù)區(qū)（LPZ 2）：為進(jìn)一步減小所導(dǎo)引的電流或電磁場(chǎng)而增設(shè)的后續(xù)防護(hù)區(qū)。LPZ2——在 LPZ1區(qū)內(nèi)，再次屏蔽的空間。如上述屏蔽大樓的另外設(shè)立的屏蔽網(wǎng)絡(luò)中心。

  第三屏蔽防護(hù)區(qū)（LPZ 3）： 需要進(jìn)一步減小雷擊電磁脈沖，以保護(hù)敏感設(shè)備的后續(xù)防護(hù)區(qū)。LPZ3——在LPZ2 區(qū)內(nèi)，再次屏蔽的空間。如上述屏蔽網(wǎng)絡(luò)中心內(nèi)的機(jī)器金屬外殼內(nèi)部，或接地的機(jī)柜內(nèi)部。